Установка плазменной обработки поверхности ꜛ H&J SOFT | SH 200

Серия SH 200 — универсальные настольные установки плазменной обработки поверхностей. Особенности конструкции позволяют решить на одной установке большинство задач, связанных с применение плазмы. Установки просты в эксплуатации, обладают интуитивно понятным интерфейсом с возможностью индивидуальной настройки технологических параметров.

Область применения:

• очистка корпусов перед монтажом или герметизацией
• очистка кристаллов перед микросваркой
• повышение адгезии и активация поверхности
• анизотропное и изотропное травление
• травление полиимида
• удаление остатков фоторезиста

Плазменная очистка:

Плазменная очистка уже давно перешла в разряд необходимых процессов при корпусировании и микроэлектронной сборке. Результаты очистки в плазменной среде дают стабильное улучшение качества поверхности, увеличивают воспроизводимость и приводит к снижению брака. В некоторых случаях очистка плазмой позволяет компенсировать низкое качество расходных материалов. Плазменная очистка с использованием системы SH 200 предлагает широкий спектр преимуществ по сравнению со стандартным методом очистки растворителями, а также системами плазменной очистки других производителей:

• низкий расход аргона/кислорода для очистки большого числа подложек
• отсутствие затрат на утилизацию химических отходов
• большой объем камеры при компактном настольном исполнении
• плазма аргона обеспечивает очистку поверхностей от всех оксидов, чего невозможно добиться, используя растворители
• очистка в плазме кислорода — наиболее доступный способ удаления тонких слоев органических загрязнений химически связанных с поверхностью
• электроды могут быть расположены параллельно к поддонам с изделиями для обеспечения равномерной очистки;
• возможность защиты чувствительных компонентов с помощью перемещения в нижнее положение заземленного электрода для снятия свободных электронов;
• электроды-полки легко переставляются и комбинируются, что позволяет использовать установку как для разработки процесса, так и в серийном производстве.

Например, использование аргона для удаления оксида алюминия создает эффект «пескоструйки» на атомарном уровне, что обеспечивает возможность проведения микросварки в течении 2 часов после плазменной очистки с гарантированным увеличением повторяемости и минимизации брака.

Преимущества установки:

Гибкость

Что делать, если плазменная очистка не приносит результатов? А если плазма «сжигает» топологию?

Конфигурация установки, выбранная без учета индивидуальных особенностей процесса, может оказаться неприменимой в реальном производстве. При этом, определить режимы обработки без ввода установки в эксплуатацию практически невозможно. Ситуация противоречивая, но риск того, что установка останется невостребованной на производстве можно избежать.

Дело в том, что электроды-полки в реакторах последовательной загрузки, как и держатели изделий, могут быть произвольно перемещены для изменения интенсивности обработки, что дает больше возможностей для отработки технологии. Расстояние между электродами также изменить в заданных пределах, а при групповой загрузке каждому держателю соответствую активный электрод, чтобы избежать «теневого эффекта».

Рис. 1 — Тип электрода — «Клетка»		Рис. 2 — Перемещаемые полки электроды

Частота на ваш выбор

Установки SH 200 могут использовать в качестве источника как генератор высокочастотной (13,56 МГц), так и генератор низкочастотной (до 120 кГц) плазмы.

Частота обрабатывающей плазмы является одним из самых неоднозначных ее параметров. Изменение параметров источника влияет влияет не только на эффективность обработки, но и на физику процесса, внося принципиальные особенности. Этими параметрами являются используемый в процессе рабочий газ, тип реактора, в котором проходит обработка, и частота плазмы.

Мы рекомендуем использовать низкочастотную плазму для достижения оптимальных результатов очистки, основываясь на следующих преимуществах низкочастотной плазмы:

• Низкие потери на тепло. Особенно важно для чувствительных компонентов. Энергетические потери 40 кГц плазмы в 850 раз меньше, чем у 13,56 МГц плазмы. В низкочастотной плазме значительно снижен нагрев элементов и риск распыления электродов.
  
• Однородность. В отличие от высокочастотной плазмы, в низкочастотной плазме отсутствует чередование пятен. Это повышает равномерность обработки и допускает близость к электродам при обработке в безопасном режиме.
  
• Расстояние между электродами для возникновения разряда. Высокочастотная плазма тем эффективнее, чем больше расстояние между электродами. Для загорания низкочастотной плазмы не требуется большого расстояния, что позволяет увеличить полезный рабочий объем камеры и использовать несколько пар электродов при последовательной загрузке, чтобы избежать «теневого эффекта».