Платформа для подгонки и тестирования толсто- и тонкопленочных компонентов, функциональных систем на печатной плате, SMT-компонентов и гибридных модулей на керамических подложках.
Полное описание
Усовершенствованная новая платформа для подгонки и тестирования толстопленочных и тонкопленочных компонентов и цепей, включая функциональные системы на печатной плате, компоненты SMT и гибридные модули на керамических подложках. Семейство TrimSmart™ включает две базовые модели:
- LT2100 — система подгонки толстых пленок
- LT3110 — система подгонки тонких пленок и полупроводников
Установка сконструирована на прочной раме основания, что обеспечивает максимальную стабильность процесса и большую рабочую зону, с возможностью работы с компонентами размерами до 250×300 мм. Модульная конфигурация установки позволяет эффективно, быстро и легко работать с любыми изделиями.
Полностью встроенные функции тестирования для выполнения быстрых и точных измерений
Запатентованная система калибровки луча и мощная система машинного зрения для точного и эффективного позиционирования луча
Cистема Windows® 2000 для простого прикладного программирования и интеграции автоматизации
Архитектура VXIс GPIBи иных интерфейсов для инструментов пользователя
Усовершенствованная обработка лазером с диодной накачкой в инфракрасных или зеленых длинах волн для соответствующих применений
- возможность конфигурирования системы как для толстопленочных, так и для тонкопленочных схем
- улучшенная операционная среда Windows® с двумя пользовательскими платформами — ChipTrim для стандартных задач и VersiTrim для сложных изделий
- высокоскоростная гальванометрическая головка для прецизионного позиционирования луча
- патентованная система калибровки луча для обеспечения воспроизводимости результатов
Подгонка и тестирование толстопленочных и тонкопленочных компонентов и цепей, включая функциональные системы на печатной плате, компоненты SMT и гибридные модули на керамических подложках.
Параметры
| Позиционирование луча | точный высокоскоростной гальванометр |
| Длина волны лазера, нм | 532 |
| Длительность импульса, нс | 30 (70 опционально) |
| Размер поля, мм | 100×100 |
| Повторяемость, мкм | ≤6 |
| Разрешение, мкм | 1,52–0,8 |
| Точность позиционирования, мкм | ±25 |
| Перемещение по оси Z, мм | 20 |
| Повторяемость по оси Z, мкм | 4 |
| Воздух, бар | 6,2 |
| Электропитание, В | ~230 |
