Установка плазменной обработки поверхности ꜛ AXIC PlasmaStar Установка плазменной обработки поверхности ꜛ AXIC PlasmaStar

Весь спектр методов плазменной обработки — от режима безопасной очистки чувствительных к электронному воздействию кристаллов до интенсивного режима RIE.

Серия PlasmaSTAR — универсальные настольные установки плазменной обработки поверхностей. Особенности конструкции позволяют решить на одной установке большинство задач, связанных с применение плазмы. Установки просты в эксплуатации, обладают интуитивно понятным интерфейсом с возможностью индивидуальной настройки технологических параметров.


Область применения:

  • очистка корпусов перед монтажом или герметизацией
  • очистка кристаллов перед микросваркой
  • повышение адгезии и активация поверхности
  • анизотропное и изотропное травление
  • травление полиимида
  • удаление остатков фоторезиста

Плазменная очистка с Axic

Плазменная очистка уже давно перешла в разряд необходимых процессов при корпусировании и микроэлектронной сборке. Результаты очистки в плазменной среде дают стабильное улучшение качества поверхности, увеличивают воспроизводимость и приводит к снижению брака. В некоторых случаях очистка плазмой позволяет компенсировать низкое качество расходных материалов. Плазменная очистка с использованием систем Axic предлагает широкий спектр преимуществ по сравнению со стандартным методом очистки растворителями, а также системами плазменной очистки других производителей:

  • низкий расход аргона/кислорода для очистки большого числа подложек
  • отсутствие затрат на утилизацию химических отходов
  • большой объем камеры при компактном настольном исполнении
  • плазма аргона обеспечивает очистку поверхностей от всех оксидов, чего невозможно добиться, используя растворители
  • очистка в плазме кислорода — наиболее доступный способ удаления тонких слоев органических загрязнений химически связанных с поверхностью
  • электроды могут быть расположены параллельно к поддонам с изделиями для обеспечения равномерной очистки;
  • возможность защиты чувствительных компонентов с помощью перемещения в нижнее положение заземленного электрода для снятия свободных электронов;
  • электроды-полки легко переставляются и комбинируются, что позволяет использовать установку как для разработки процесса, так и в серийном производстве.

Например, использование аргона для удаления оксида алюминия создает эффект «пескоструйки» на атомарном уровне, что обеспечивает возможность проведения микросварки в течении 2 часов после плазменной очистки с гарантированным увеличением повторяемости и минимизации брака.


Преимущества установки:

Гибкость

Что делать, если плазменная очистка не приносит результатов? А если плазма «сжигает» топологию?

Конфигурация установки, выбранная без учета индивидуальных особенностей процесса, может оказаться неприменимой в реальном производстве. При этом, определить режимы обработки без ввода установки в эксплуатацию практически невозможно. Ситуация противоречивая, но риск того, что установка останется невостребованной на производстве можно избежать.

Дело в том, что электроды-полки в реакторах последовательной загрузки, как и держатели изделий, могут быть произвольно перемещены для изменения интенсивности обработки, что дает больше возможностей для отработки технологии. Расстояние между электродами также изменить в заданных пределах, а при групповой загрузке каждому держателю соответствую активный электрод, чтобы избежать «теневого эффекта». 

Рис. 1. AXIC PlasmaSTAR — клетка
Рис. 1 — Установка плазменной обработки поверхности AXIC PlasmaStar 200. Тип электрода - "Клетка"
Рис. 2. PlasmaSTAR — перемещаемые электроды
Рис. 2 — Установка плазменной обработки поверхности AXIC PlasmaStar 200. Перемещаемые полки электроды

Частота на ваш выбор

Установки PlasmaSTAR могут использовать в качестве источника как генератор высокочастотной (13,56 МГц), так и генератор низкочастотной (до 120 кГц) плазмы.

Мы рекомендуем использовать низкочастотную плазму для достижения оптимальных результатов очистки, основываясь на следующих преимуществах низкочастотной плазмы:

  • Низкие потери на тепло. Особенно важно для чувствительных компонентов. Энергетические потери 40 кГц плазмы в 850 раз меньше, чем у 13,56 МГц плазмы. В низкочастотной плазме значительно снижен нагрев элементов и риск распыления электродов.
  • Однородность. В отличие от высокочастотной плазмы, в низкочастотной плазме отсутствует чередование пятен. Это повышает равномерность обработки и допускает близость к электродам при обработке в безопасном режиме.
  • Расстояние между электродами для возникновения разряда. Высокочастотная плазма тем эффективнее, чем больше расстояние между электродами. Для загорания низкочастотной плазмы не требуется большого расстояния, что позволяет увеличить полезный рабочий объем камеры и использовать несколько пар электродов при последовательной загрузке, чтобы избежать «теневого эффекта».

Рис. 3. PlasmaSTAR — последовательная загрузка в установках плазмы
Рис. 3 — Последовательная загрузка в установках высокочастотной (слева) и низкочастотной (справа) плазмы
Частота плазмы 13,56 МГц / 100 (40) кГц
Мощность, Вт 1000 
Размер камеры (Ш×Г×В), мм
375 × 432 × 305
Материал камеры алюминиевая с твердым анодированным покрытием
(из нержавеющей стали — опционально)
Тип электродов «клетка» / перемещаемые полки-электроды
параллельные электроды (цилиндрический реактор)
Размер полки-электрода, мм 305 × 355
Количество магистралей с газом 2 (стандарт) / 2 (опционально)
Электропитание ~220 В
Габаритные размеры (Ш×Г×В), мм
1030 × 850 × 635 (без вакуумного насоса)
Вес, кг 225
Три кита плазменной очистки

В условиях российского производства электронных изделий наблюдается все более серьёзное отношение к плазменной очистке. Особый интерес объясняется тем, что её применение позволяет, в некоторой степени, компенсировать невысокое качество технологических материалов.

Предлагаем рассмотреть задачу плазменной очистки от загрязнений в концепции трёх китов — трёх ключевых факторов для улучшения качества выпускаемых изделий: рабочий газ, тип реактора и частота обрабатывающей плазмы.


За дополнительной информацией или консультацией обратитесь к менеджерам компании «Глобал Микроэлектроника».

В технологическом процессе также применяется:

F&S BONDTEC 53XX ꜛ

установка ультразвковой микросварки

Установка серии 53XX — это идеальное решение для НИИ и лабораторий, университетов и опытных производств, отлично зарекомендовавшее себя на сотнях предприятий по всему миру.

F&S BONDTEC 56XX ꜛ

установка микросварки и тестирования

Установка серии 56ХХ  — это сварка в полуавтоматическом и автоматическом режимах любым методом сварки, а также тестирование соединений в одной настольной машине. Универсальность и лучшее соотношение цена/качество/возможности.

FINEPLACER pico ma ꜛ

универсальная установка монтажа кристаллов

FINEPLACER® pico ma — универсальная установка монтажа кристаллов начального уровня, которая подходит для реализации подавляющего большинства всех современных методов микромонтажа, включая пайку на эвтектику и flip-chip.

FineXT 5205 ꜛ

многофункциональный автомат монтажа кристаллов

FineXT 5205 — это современное гибкое решение для серийного многономенклатурного производства на базе надежной и гибкой платформы портального типа с унифицированной архитектурой.

Офис в Москве

Глобал Микроэлектроника

Универсальная установка плазменной обработки для подготовки поверхности перед монтажом кристаллов, микросварки кристаллов, герметизации для опытных и серийных производств. Поставка, пусконаладка и сервис

г.Москва Высоковольтный проезд, 1/49, офис 218

+7 495 902 7921

Время работы: